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NCV8405, NCV8405A
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
RL
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+
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S
IDS
Figure 22. Resistive Load Switching Test Circuit
90%
VIN
td(ON)
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IDS
tf
Figure 23. Resistive Load Switching Waveforms
http://onsemi.com
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NCV8405ASTT3G 功能描述:IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘，4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?（1.2x1.6） 包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1
NCV8405DTRKG 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405STT1G 功能描述:MOSFET SELF-PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405STT3G 功能描述:MOSFET SELF-PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8406ADTRKG 功能描述:功率驱动器IC 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
NCV8406ASTT1G 功能描述:MOSFET 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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